安徽格恩半导体有限公司总经理李水清发言。

　　“公司成立之初,就建立了技术中心,目前拥有500余台国际领先的研发与量产设备,以及行业先进的产品研发平台和自动化生产线,具备覆盖化合物半导体激光器芯片设计、外延生长、芯片制造、封装测试等全系列工程技术和量产制造能力。”安徽格恩半导体有限公司总经理李水清说。

　　格恩半导体于2021年8月落户金安经济开发区,总投资额20亿元。项目于2021年10月16日动工建设,8个多月建成投产,实现当年签约、当年投产、当年纳规,创造了“金安速度”。自建成投产以来,格恩半导体已累计投入逾10亿元,集中优势资源力量,瞄准氮化镓激光芯片“卡脖子”关键核心技术攻关,以实现国产自给为目标,在技术创新研发、高层次人才引进、市场开拓布局等方面深耕细作,并取得成效。

　　一直以来,格恩半导体着力在建强技术创新孵化平台、推进高层次人才引育留用、优化市场营销布局策略等方面持续发力,凭借在化合物半导体领域多年的研发与生产经验,攻克了一系列技术难点。2023年8月成功举办“激遇格恩　光耀世界”氮化镓激光芯片产品发布会,成为国内第一家规模量产氮化镓激光芯片的企业,打破了国外企业长期垄断的局面,填补了国内产业化空白。

　　下一步,格恩半导体将继续坚持自主创新研发,持续深耕高端化合物半导体芯片领域,推动产业链延伸、加快技术研发创新、加速科技成果转化,加快创芯步伐、强化科技赋能,提高经营管理质效,助力六安市工业强市建设。